Hardware 版 (精华区)

发信人: gaea (嘎雅§瞎子摸象), 信区: Hardware
标  题: 可使DDR内存传输速度倍增的新技术问世
发信站: 哈工大紫丁香 (2001年01月14日19:28:52 星期天), 站内信件


　　内存生产厂商Kentron将于1月23、24日在加利福利亚研讨会上展示他们新近研
发出来的QBM技术。通过这项技术可以使100-MHz DDR内存的传输速度从1.6 GB/秒
提升到3.2 Gbytes/秒。Kentron声称这项技术将使DDR内存的发展前进一大步。 

　　Kentron的首席执行官Bob Goodman声称QBM技术在去年已通过初步测试，并将
在这次的研讨会上对它进行验证。产品将在第一季度内推出。

　　Kentron的产品主要定位于对DDR内存需求迫切的服务器市场，但同时还为图形
显示、电信以及消费电子产品提供产品。这项技术极有可能在今年得到应用。

　　在讨论会上，Kentron计划展示一套Actel Corp公司的主板子系统，这套系统
的北桥芯片整合了四个QBM内存模块。这套系统将展示QBM内存模块怎样使
200-MHz DDR内存运行到400MHz，并使其带宽达到3.2 Gbytes/s。 

　　QBM模块由两个DDR内存组成，一个运行在正常频率的速度，另一个的时钟延迟
周期为90。它们通过FET连接，DRAM的每一时钟周期交错数据吞吐量能达到4bit/亿
分之一秒。每4 bits的时钟周期I/O数据吞吐量的QBM 能代替2bit数据吞吐量的
DDR内存和1bit数据吞吐量的普通SDRAM内存。 

　　Rambus公司也曾经展示了怎样使用Rambus内存达到每时钟周期4bits的数据吞
吐量，但Kentron的方法完全不同，Rambus使用芯片分离技术在每个周期用四路传
输1bit数据。QBM 技术依靠外部的转换开关来使两个驱动器在一个周期内同时传输
数据。 

　　这一改进能使DDR内存同在Pentium 4处理器上使用的Rambus DRAM内存抗衡。
200MHz的DDR内存使用非常方便，因为它的前端总线标准和Pentium 4兼容。用户可
以使用较慢的DDR内存和QBM 配合达到3.2 Gbytes/s的数据传输量。

　　除了更好的速度，FET模块还能减小系统的功耗，有更高的内存密度和更快的
系统总线速度。QBM也能在128-bit内存上运用，包括SyncFlash 闪存的双路数据传
输。 

　　现在有些生产商开始考虑是否使用QBM技术，其中包括Via公司和Nvidia公司。
Via公司是最大的第三方芯片生产商及DDR内存的倡导者。Nvidia公司是显卡市场的
领导者，它们现在刚开始使用DDR内存作显卡的显存。 

　　Kentron的首席执行官Goodman 希望有更多的生产商能在DDR内存系统上采用
QBM技术。采用QBM技术增加的成本很小，FET模块大概只要1美元，能广泛地在开关
控制器上使用。该模块能在很短的时间内开始运行，并只有很小的能耗。 

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