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发信人: bngd (随意飘荡), 信区: ITnews
标题: 高科技打造英特尔90纳米芯片
发信站: 哈工大紫丁香 (Sun Aug 18 22:44:38 2002) , 转信

高科技打造英特尔90纳米芯片

英特尔公司8月14日公布了多项突破性技术。这些技术已被集成到业界最先进的半导体制造
工艺――90纳米(nm)工艺中。英特尔已经采用该工艺来制造突破记录的芯片结构和内存芯
片，并将于明年用于批量制造300mm晶圆。

　　新型90nm工艺集成了多种技术，如更高性能更低功耗的晶体管、应变硅、高速铜互连
以及新型低K绝缘材料。

　　英特尔公司高级副总裁兼技术与生产部总经理Sunlin Chou博士表示：“我们已经率先
将90nm技术专门用于300mm晶圆。这一结合将使英特尔制造出更好的产品，同时也降低了制
造成本。”

　　过去十多年以来，英特尔一直遵循摩尔定律，平均每两年就引入一代新工艺。90nm工
艺是继0.13微米后的新一代工艺，英特尔目前正采用后者批量制造微处理器。

　　英特尔的技术突破分别表现在：

　　(1)先进的晶体管：英特尔90nm新工艺将采用长度(栅极长度)仅为50nm的晶体管，这将
是在生产中采用的体积最小、性能最高的CMOS晶体管。相比之下，目前投入生产的最先进
的晶体管为60nm。体积小、速度快的晶体管是超高速处理器的构建模块。这些晶体管采用
了仅有5个原子层厚(1.2nm)的氧化物栅极。超薄的氧化物栅极可以提高晶体管的运行速度
。

　　(2)应变硅：英特尔已将自己的高性能应变硅集成到这一工艺中。使用应变硅，电流流
动更平稳，从而提高了晶体管的运行速度。这是业界首次在生产中采用应变硅的新工艺。

　　(3)具有新型低K绝缘体的铜互连：该工艺还集成了一种新型掺碳氧化物(CDO)绝缘材料
，以提高芯片内的信号速度并降低芯片功耗。这一绝缘材料通过简单的双层堆叠设计实现
，非常容易制造。

　　(4)突破记录的新工艺：2月份，英特尔采用90nm工艺制造出世界上容量最大的52MB S
RAM芯片(可存储5,200万比特信息)。这一全功能芯片在仅为109平方毫米(约为指甲大小)的
面积上集成了3.3亿个晶体管。这些芯片还实现了业界领先的SRAM元件，其大小仅为1平方
微米。

　　英特尔的90nm工艺还集成了七层高速铜互连以提高处理器性能。该工艺还将结合使用
248nm和193nm波长光刻设备。英特尔希望制造300mm晶圆的0.13微米工艺中能够有75%的工
具得到重新利用，以降低实施成本，并确保能够使用成熟的工具进行新产品的制造。90nm
工艺将从明年开始在D1C中用于批量生产，随后扩大到其他300mm制造工厂。

　　英特尔预计到2003年有3个300mm晶圆工厂采用90nm工艺。英特尔使用该工艺制造的首
批商业化芯片之一将是代号为“Prescott”的处理器，它基于Intel NetBurst微体系结构
，并将于2003年下半年推出。（科技之光）

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※ 来源:．哈工大紫丁香 http://bbs.hit.edu.cn [FROM: 202.119.80.20]

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