Chemistry 版 (精华区)

发信人: zjliu (秋天的萝卜), 信区: Chemistry
标  题: 模拟纳米结构器件电学性质---TranSIESTA-C
发信站: BBS 哈工大紫丁香站 (Thu Jul  8 16:35:33 2004)

发信站: 日月光华  


TranSIESTA-C是第一性原理电子结构计算程序，能模拟耦合了半-无限电极的纳米结构
体系的电学性质，两个电极材料可以纳米管和金属，纳米结构体系可以是两个材料体系

之间的界面区域，其他常见的纳米结构体系还可以是由金属表面之间的分子所组成的。


能处理的系统
开放结构的体系       晶体       分子

方法
TranSIESTA-C的理论方法基础包括
密度泛函理论     赝势(模守恒赝势)
局域基矢(数值轨道，与SIESTA程序中的相同)         非平衡格林函数

能计算得到结果包括
I-V特性曲线            总能和力
透射曲线               平衡状态下的几何结构
电流诱导的力           分子动力学
电流诱导的力           分子动力学
电势                   3D散射态


TranSIESTA-C基于非平衡格林函数方法，能处理两个电极具有不同电化学势的情况
，也就是在纳米结构两端施加了外置的偏压。它能计算电流、通过连接处的电压降
以及电子透射波等等。

TranSIESTA-C也能对孤立系统和周期性结构的材料进行传统的电子结构计算模拟
。TranSIESTA-C采用了非常有效的电子结构计算方法，在几何结构优化时也是
采用非常精确和有效的计算方法。

TranSIESTA-C1.1能运行Linux操作系统。

1.1版本的新功能
在TranSIESTA-C1.1版本中新增加的功能有：
计算非平衡条件下的电流；

采用更快的密度泛函理论方法，对大部分体系而言，新版本要比1.0版本快2倍以上；

计算静电势、电子密度、分子轨道、Bloch态以及在3D网格上双电极的态密度
(包括平衡和非平衡情况下，按电极进行分解的)；

计算静电势、电子密度、分子轨道、Bloch态以及在3D网格上双电极的态密度
对所选定的本征态和态密度进行Mulliken布居分析；

计算透射谱的本征值以及投影到分子轨道上的态密度；

能以解析的方式输出计算的日志文件以便快速地得到重要的计算结果。

目前TranSIESTA-C的最新版本是1.2，于2004年7月5日发布。
另外还有配套处理计算数据的软件Iview 1.0版本。

为了更准确的表达出该软件的功能，TranSIESTA-C现以更名为Virtual NanoLab。
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