METech 版 (精华区)

发信人: yongding (菩提树), 信区: METech
标  题: 非易失性存储器发展面临瓶颈，业界论道替代技术
发信站: BBS 哈工大紫丁香站 (Sat Nov 13 10:43:04 2004)

在Semico Research公司日前主办的一场研讨会上，Axon Technologies、飞思卡尔(Frees
cale Semiconductor)和Nantero就非易失性存储技术的发展大势展开了讨论。三家公司不
约而同地声称，SRAM、嵌入式DRAM和闪存等存储技术发展的动力已经耗尽。 

    飞思卡尔MRAM技术总监Saied Tehrani在开场词中问道，“为什么我们需要另外一种存
储技术？”他表示，没有单独一种成熟技术能够满足嵌入存储器在未来SoC中的要求：高密
度、高速度，无限可靠的寿命、非易失性、低功耗及低工艺成本。此外他还指出，按照摩
尔定律曲线的规划，所有业已确立的技术将面临严重的缩放问题，从缩减用于DRAM的电容
面积到降低闪存编程电压。Tehrani的答案理所当然是磁阻RAM或MRAM。该公司已论证了在
采用180纳米技术构建的器件上实现了对称25ns的读写时间。 

    Nantero公司的策略营销副总裁Avo Kanadjian则描述了正在研究的存储阵列NRAM，其
存储元素是一小簇悬浮在真空腔内上下电极间的纳米管。Axon目前则正在研制PMC存储单元
。这种方法是自组装的纳米级电解液在经过选择的存储阵列上生长。在两边的玻璃矩阵的
金属电极上施加电场，使金属离子通过矩阵被电沉积，在数纳秒内形成一个导电桥。 

  
  

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