METech 版 (精华区)

发信人: yongding (菩提树), 信区: METech
标  题: 飞利浦获技术突破，在硅片上育成III-V族材料纳米线 
发信站: BBS 哈工大紫丁香站 (Sat Nov 13 10:44:45 2004)

 荷兰皇家飞利浦电子(Philips Semiconductor)与荷兰Kavli纳米科学研究院的科学家们在
硅锗衬底上育成了III-V半导体纳米线。研究小组声称，他们是业内最先实现该技术并公开
发表的组织。 

    该组织在《自然》杂志上发表的文章里，科学家描述了在锗衬底上育成磷化铟纳米线
的情况。同时，该小组还成功在硅衬底上育成出了磷化铟(InP)和磷化镓(GaP)。飞利浦研
究公司(Philips Research)表示，在取得该成就之前，化合物半导体无法通过传统的薄膜
沉积和光刻构造加工方法在硅或其它IV族材料上加工。这是由于晶格及热扩散不匹配等根
本问题引起的，这些问题阻碍了外延生长。 

    然而，摩托罗拉实验室声称已经论证了在硅表面育成GaAs的可能性，也发表了相关技
术论文。摩托罗拉还成立了一家子公司ThoughtBeam，致力于将研究商业化。但ThoughtBe
am在2002年底被关闭。 

    飞利浦研究公司称，与在整块衬底上育成化合物半导体层不同，飞利浦与Kavli纳米科
学研究院在多处衬底位置生长纳米线形式的III-V材料，所产生的机械应力较小。该技术的
关键是采用了气-液-固(Vapor-Liquid-Solid，VLS)方法来育成半导体纳米线。 

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