METech 版 (精华区)

发信人: bann (Love★Job★Study), 信区: METech
标  题: IBM、三星和英飞凌等在IEDM上介绍65nm工艺
发信站: BBS 哈工大紫丁香站 (Wed Jan  5 16:42:32 2005)

日前在美国旧金山举行的国际电子元器件会议(IEDM)上，特许半导体(Chartered Semicon
ductor)、IBM、英飞凌(Infineon)和三星(Samsung)纷纷介绍了其65nm工艺，据称这种工艺
比先前工艺的性能高出35%。 

不久前，IBM公司与AMD、特许半导体、英飞凌和三星分别签署了代工和技术合约。IBM是此
联盟中的领先技术提供方，它已公布了其90nm工艺。现在IBM与其合作方显然又推出了65n
m技术。 

据IEDM上的论文介绍，65nm工艺包括两个平台：基础平台和低功耗平台。其应用包括逻辑
器件、SRAM、混合信号和嵌入式存储器件。这些公司宣称，采用这一技术，SRAM单元的尺
寸可做到0.51～0.682。这一工艺据称可提供多达10个互联级别和9个铜线级别。它扩展了
IBM 90nm工艺中的低K绝缘，它基于专利的碳掺杂氧化材料，并采用Applied Materials公
司的CVD工具沉淀而成。 

65nm技术还采用了一种12.5埃等离子氮氧化门。论文称，它具有0.5nA～50nA的较宽的关断
状态漏电流范围。“而且在这项技术中，我们还提供了附加的低漏电选项用于低功耗器件
，门级漏电流小于30 pA/μm，GDIL低于10 pA/μm。” 

相同的轮廓。这家公司将两片256Mb的同步DRAM或两片双数据率的SRAM堆迭创建出512Mb的
存储器。

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