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发信人: zjliu (秋天的萝卜), 信区: METech
标 题: TI的单电子晶体可望实现逻辑功能
发信站: 哈工大紫丁香 (Sat Jan 3 21:53:53 2004), 站内信件
据德州仪器公司和瑞士洛桑联邦工业大学及美国空军研究实验室的研究人员的描述,使
用单电子晶体(single electron transistors, SET)实现逻辑功能已成为可能。
在最近举行的国际电子器件会议(IEDM)上发布,研究人员详细描述了在这个叫做SETMOS
的装置里,SET和标准CMOS晶体管的结合体是如何产生足够的增益和电流驱动来完成逻辑
功能的,而且其体积要比单纯使用CMOS晶体管所需要的体积小得多。
德州仪器的科学家兼SETMOS文章的合著者Christoph Wasshuber指出,使用单电子来表示
一个逻辑状态时,SET可能仍需要CMOS工艺来克服理论上电子运算能力的局限性。他说:
“现在看来CMOS仍能充当重要角色,因为它要给成千上万的更小、更低功耗的单电子晶
体提供一个常规的系统接口。”
其研究人员在SET研究中的一个主要问题,就是这个令人鼓舞的试验结果还处在仿真阶段
,并没有用到实际的设备中。他们是利用SET周期性的电流电压特性来进行调制,才产生
了这样有期望的结果。
对于未来的纳米级芯片,CMOS和SET的结合成为一种很有希望的途径。也有其他人提议用
一些可编程SET实现逻辑功能,但TI的研究人员主张在模拟电路中使用这种混合式的结构
,其产生的新功能用纯CMOS工艺是无法实现的。
研究人员表示,SETMOS装置也表现出了和传统SET类似的库伦阻断和库伦摆荡效应,但却
体现出更强的电流驱动能力。它作为一个混合性装置有着SET和MOSFET所没有的独特特性
。
研究人员下面的挑战就是提高CMOS在兼容SET时的可靠性。TI指出,SET会首先运用在内
存上,以及类似温度计和超灵敏的静电计的测量领域里。
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