METech 版 (精华区)

发信人: hitter (请稍后...涅磐中), 信区: METech
标  题: MEMS-related Words
发信站: 哈工大紫丁香 (2004年01月12日08:15:00 星期一), 站内信件



You Might Wonder About
The following contains many of the words you might encounter when talking to M
EMS-freaks, and for which you might have hesitated to ask what they mean. The 
list is taken from MSB 99:4-00:2 (©). 

Actuator: Device converting energy (electric, chemical, etc.) into mechanical 
work. 

AFM: Atomic Force Microscopy. Visualizes features on an atomic scale. 

Anisotropic etching: Direction-dependent etching. Often based on the periodic 
order of crystalline materials (anisotropy). 

Anisotropy: Different material or processing properties in different direction
s. 

Anodic (field-assisted) bonding: Bonding conductive to non-conductive material
s (e.g. silicon to glass) using heat and high-voltage-generated electrostatic 
forces. 

ASIC: Application-Specific Integrated Circuit. Chip specially designed for a c
ertain customer and application. 

Batch: Production of many components at the same time. 

Bonding: Joining of parts in a permanent way. 

Bulk micromachining: Tailoring structures by machining a wafer’s interior. 

Cleanroom: Ultra-clean area with a controlled environment. 

CMOS: Complementary Metal Oxide Semiconductor. Type of integrated electronics 
often used in one-chip solutions. 

CVD: Chemical Vapor Deposition. Deposition of thin layers on the surface throu
gh chemical reactions. 

 Dielectric material: A non-conducting material. 

Direct wafer bonding: Bonding wafers without using an intermediate adhesive ma
terial. 

Dry etching: Processes based on chemically aggressive gases (e.g. RIE), plasma
, and particle-bombardment. 

EDM: Electro Discharge Machining. Milling using electric sparks. 

EDP: Ethylene Diamine Pyrocatechol. An alternative to KOH for wet etching of s
ilicon. 

Electroplate: Deposition of metals using an electric current and an electrolyt
e solution. 

Electrostatic force: Mechanical force caused by a voltage between two electrod
es. 

Epitaxy: Atom by atom growth of layers that adjust to the crystallographic ori
entation of the substrate (a single crystal). 

Etch stop: Technique of stopping the etching at well-defined locations, e.g. a
t silicon-insulator interfaces or P-N junctions in semiconductors. 

Etching: Removal of material, often with chemical processes. 

Evaporation: Deposition using a heated source that sublimate or boil. Low pres
sure ensures high directionality of the vapor condensing at the substrate. 

Fab: Factory for microstructures (nickname similar to lab). 

FEA & FEM: Finite Element Analysis & Method. Simulation procedure for analyzin
g multiphysics behavior.  

FIB: Focused Ion Beam. Finely focused ion beam (often Ga+) used for imaging, m
illing and deposition. 

Fused silica: Non-crystalline (amorphous) quartz. 

GaAs: Gallium Arsenide. Semiconductor with optical and piezoelectric propertie
s. 

HF: Hydrofluoric acid. Ingredient in etchants that attack SiO2 (incl. quartz).
 

Hydrophilic: A drop of water will wet a hydrophilic surface. 

Hydrophobic: The opposite to hydrophilic. 

Isotropic etching: Direction-independent etch speed. 

KOH: Potassium Hydroxide. The most common etchant for wet etching of silicon. 


LCVD: Laser-assisted CVD. 

LIGA: Lithographie, Galvanoformung, Abformung. Synchrotron radiation is used t
o form high-aspect ratio polymeric structures suitable for metal filling by el
ectrodeposition and as masters for replication. 

Lithography: Copying a mask-pattern onto a surface, e.g. using light or X-ray.
 

Lorentz force: Mechanical force caused by an electric current in a magnetic fi
eld. 

LPCVD: Low Pressure CVD. 

Mask: Pattern to be copied with etching or deposition. 

MCM: Multi Chip Module. 

MEMS: MicroElectroMechanical System (see MST). Acronym primarily used in U.S.A
. 

Micromachine: See MST. Word primarily used in Asia. 

Micromachining: Processes for microstructure fabrication. Originating from the
 semiconductor industry’s processes. 

Microstructure: Structure featuring small geometries (sub-µm to mm). Oft
en fabricated using micromachining. 

Microsystem: System including one or more microstructures or assembled using m
icrotechnology. 

 µ-TAS: Miniaturized Total Analysis System. Integrated chemical sensor s
ystem. 

MOEMS: MicroOptoElectroMechanical System. 

MPW: Multi Project Wafer. Several projects share the space and cost of a wafer
. 

MSB: Micro Structure Bulletin. Nordic newsletter first published in 1993. 

MSK: MikroStrukturKurs. Swedish MEMS course. 

MST: MicroSystem Technology (regionally also MicroStructure Technology). See m
icrosystem. Acronym primarily used in Europe. 

MSW: Micro Structure Workshop. Nordic biennial workshop first held in 1994.  


OEM: Original Equipment Manufacturers sell to system manufacturers instead of 
directly to customers. 

One-chip solution: Sensor element and its electronics integrated on one chip. 


PCB: Printed Circuit Board. 

Photoresist: Substance used to protect areas not to be etched. Patterned via l
ithography followed by removal (etching) of exposed (or unexposed) a 
Photoresist: Substance used to protect areas not to be etched. Patterned via l
ithography followed by removal (etching) of exposed (or unexposed) areas. 

Piezoelectricity: Mechanical stress generated by electric field/charge, and vi
ce versa. Present in strongly anisotropic dielectrics, e.g. quartz. 

Piezoresistance: The dependence of resistivity on mechanical stress. Involves 
mainly semiconductors, e.g. silicon. 

Plasma: Cloud of ionized gas and electrons. 

Polysilicon: Silicon consisting of crystalline grains. Often deposited via CVD
 or PVD. 

PVD: Physical Vapor Deposition. Deposition processes such as sputtering and ev
aporation. 

PZT: Lead Zirconate Titanate. Large-strain piezoelectric ceramic. 

 Quartz glass: See fused silica. 

Quartz: Crystalline SiO2. An inert, highly stable, and piezoelectric material.
 

Replication: Duplication of an original using casting, embossing or molding. 


Resonator: Mechanical structure that vibrates, sometimes at a resonance freque
ncy. 

RIE: Reactive Ion Etching. Dry etching based on a plasma with chemically activ
e gas ions. 

Sacrificial layer etching: Removal of a buried fast-etching layer used, for ex
ample, to create freely movable structures. 

SEM: Scanning Electron Microscopy. Features too small for optical microscopy m
ade visible by scanning the sample with an electron beam. 

Sensor: Device providing useful output to a specified stimulus. May react also
 to other stimuli, e.g. temperature. 

Silicon fusion bonding: High-temperature hermetic bonding. Its atomic nature m
eans high-quality bond interfaces.  

Silicon: The most popular material in micromachining. 

SME: Small to Medium-sized Enterprise (company). 

SOI: Silicon On Insulator. An oxide layer sandwiched between two silicon layer
s, used in etching as an etch stop barrier and sacrificial layer. 

Sputtering: Deposition based on bombarding a source by ions from a gas plasma.
 Knocked out atoms lose their directionality when passing through the plasma o
n their way to the substrate. 

Stiction: Undesired adhesion of movable solids in very close proximity, caused
 by forces such as Van der Waals, capillary and hydrogen bridging. 

Surface micromachining: Forming structures via deposition and etching of thin 
layers on the wafer’s surface. 

TEM: Transmission Electron Microscopy. Visualizes details in thin slices via t
he transmission of an electron beam. 

Transducer: Device, e.g. sensor or actuator, converting energy from one domain
 to another, calibrated to minimize conversion errors. 

Wafer: Thin slice of material suitable for batch processing. Normally circular
 with diameters in the 50-300 mm range. 

Wet etching: Etching using chemically aggressive liquids. 

Wire bonding: Making electrical connection by attaching thin gold or aluminum 
wires. 

Yield: Fraction of functioning components after processing.
--
               一念不起为坐，见本性不乱为禅;

               外不著相，内不乱为定

               外禅内定，故名禅定，即时豁然，还得本心…….

※ 来源:·哈工大紫丁香 bbs.hit.edu.cn·[FROM: 218.9.121.63]
※ 修改:·hitter 於 01月12日08:16:00 修改本文·[FROM: 218.9.121.63]