METech 版 (精华区)

发信人: YiY (三人行), 信区: METech
标  题: 接触孔不直接打在gate上的原因
发信站: 哈工大紫丁香 (Fri Sep 10 20:08:24 2004), 转信

MOS管的阈值与栅电极材料的功函数、沟道掺杂、栅氧厚度和氧化层电荷等多种因素有关，由于多晶硅晶粒之间存在缝隙，金属化材料有可能顺着缝隙达到栅氧化层表面，从而影响栅电极的功函数，改变MOS管的阈值。在湿法腐蚀工艺中（在亚微米工艺中用的是干法腐蚀），腐蚀剂还可能顺着晶粒间的缝隙达到栅氧化层，将本来就很薄的栅氧化层腐蚀透，造成器件失效。
因此，除非工艺上有特殊保证，否则栅上面绝对不要打孔，即使是环形栅，也应伸一个头到场区打孔。



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※ 来源:·哈工大紫丁香 bbs.hit.edu.cn·[FROM: 218.104.43.*]