METech 版 (精华区)

发信人: YiY (三人行), 信区: METech
标  题: dummy
发信站: 哈工大紫丁香 (Fri Sep 10 20:10:50 2004), 转信

由于横向刻蚀率的不同，所以我们再layout和多晶硅相关的器件时都要考虑这种效应。所以在layout  MOS器件， poly电阻，poly电容时我们都要考虑由于此原因造成的误差。
其实防止的方法也很简单，就是加一个dummy器件就可以了。以电阻为例，当ploy电阻两端加上dummy poly后那么中间电阻的空隙就会相同，所以横向刻蚀对电阻的影响也会相同。我们可以看出dummy ploy的作用只是为了保护里面的器件，因此这个dummy不一定要和里面的器件尺寸一样，但是它的space一定要与其内部的器件一致。只要用最小的rule画一个dummy ploy在两边就可。
       Diffusion 的工艺制作与ploysilicon是完全不同的。多晶硅是通过刻蚀得到的，而diff是通过离子注入形成的。例如一块做在N型衬底上的P型diff。P型diff的中心地区受主离子浓度最高，边缘处受主浓度会减少。而且两块相邻的diff会相互影响，造成diff的宽度和阻值会有一些变化。而且这种影响与周围的diff的浓度以及极性有关。当作电阻时，array电阻的中间部分一致性较好而两端的电阻会有一定的误差。所以要在电阻的两端加dummy电阻。由于diff是离子注入形成的，所以为了保证dummy对电阻的影响与内部电阻的相互影响一致，在做diffusion电阻时两端的dummy的尺寸要与内部电阻的尺寸一致。
另外需要指出的是：对于ploy电容外面加dummy 除了以上原因外，还有在每个八角形电容（因为相同面积的八角形 和正方形，八角形的周长小，边缘电容小）的周围再加上poly1,poly2的dummy是为了使每个方块电容的寄生边缘电容相同。


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