Microwave 版 (精华区)

发信人: superfighter (稀饭fanxiaocao), 信区: Microwave
标  题: call for paper_SiRFIC 2006
发信站: 哈工大紫丁香 (Thu Apr 28 09:39:17 2005), 站内

http://hal.yamacraw.gatech.edu/SiRF/

This 6th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF
 Systems (SiRFIC 2006) continues to be the only conference devoted to Si
-based devices, passives, integrated circuits, and applications for high
-frequency systems. Over three days, papers and sessions will highlight 
the significant technological advances of this dynamic field, as well as
 provide a unique forum for the presentation of new ideas and candid exc
hange on the emerging challenges and opportunities. Invited tutorial tal
ks from international experts will be presented in key topical areas.

Technical papers are solicited in the following areas, but all papers re
lated to Si-based RF systems are welcome: 

Materials:   expitaxial growth, strain engineering, characterization met
hods, stability issues, defects

Devices:   physics, optimization, and scaling limits of SiGe HBTs, RF-CM
OS, SOI CMOS, strained-Si CMOS, SiGe MOSFETs, Si-based MODFETS, and diod
es that are applicable to RF, microwave, and millimeter-wave circuits an
d systems

IC Technologies:   novel device structures, SiGe HBT and CMOS integratio
n issues, heterogeneously integrated devices and circuits, interconnects
, fabrication on high-resistivity Si and SOI, packaging issues

Circuits:   RF, microwave, and mm-wave building blocks (LNA, mixer, VCO,
 PA, switches), integrated tranceivers, high-speed DAC and ADC, analog, 
mixed-signal

Passives:   inductors, capacitors, thin film resistors, transmission lin
es, integrated antennae, and transformers

MEMS:   RF MEMS, micro-machining for improved passives, integration with
 Si-based circuits and systems

Reliability Issues:   yield and reliability concerns in high-frequency S
i-based devices, passives and circuits, digital/RF circuit integration c
hallenges, signal isolation issues, interference, substrate noise, and R
F impedance mismatch robustness

Measurement and Modeling:   compact modeling of Si-based transistors for
 high-frequency applications and robust measurement and de-embedding tec
hniques of high-speed/high-frequency systems

Applications:   system-on-a-chip (SoC) and system-in-a-package (SiP) sol
utions utilizing the low-cost and high-level integration advantages of S
i technology for RF, microwave, and millimeter- wave sub-systems and sys
tems, integration of Si-based photonic elements with electronic circuits


Emerging Technologies:   Nano, quantum, optical, and THz technology devi
ces and circuits

Submission Deadline: September 7, 2005

Paper Submission Guidelines

Authors must submit a two-page abstract in pdf format (one page text and
 one page figures) for consideration by the Technical Program Committee,
 and must clearly indicate how the work advances the-state-of-the-art. P
apers should include:

the names of all authors and their affiliations, 

whether this is a student paper, and 

the mailing address, phone number, fax number, and email address of the 
corresponding author. 


--
如果你要找superfighter，请按一下步骤进行：
曲线方式：bbs.hit.edu.cn->学术科学->微波技术与应用
直线方式：dreamfield@hit.edu.cn


※ 来源:·哈工大紫丁香 bbs.hit.edu.cn·[FROM: 219.217.250.144]