NanoST 版 (精华区)

发信人: hfl (凤凰·凤秘·蜂蜜), 信区: NanoST
标  题: 【范文】AFM STM SEM比较(转载)
发信站: 哈工大紫丁香 (2003年12月04日18:16:11 星期四), 站内信件

【 以下文字转载自 NewBoard 讨论区 】
【 原文由 fangzhe 所发表 】

1. AFM versus STM:
It's interesting to compare AFM and its precursor -- Scanning Tunneling Micr

oscope. In some cases, the resolution of STM is better than AFM because of t

he exponential dependence of the tunneling current on distance. The force-di

stance dependence in AFM is much more complex when characteristics such as t

ip shape and contact force are considered. STM is generally applicable only 

to conducting samples while AFM is applied to both conductors and insulators

.. In terms of versatility, needless to say, the AFM wins. Furthermore, the A

FM offers the advantage that the writing voltage and tip-to-substrate spacin

g can be controlled independently, whereas with STM the two parameters are i

ntegrally linked.
2. AFM versus SEM:
Compared with Scanning Electron Microscope, AFM provides extraordinary topog

raphic contrast direct height measurements and unobscured views of surface f

eatures (no coating is necessary).
3. AFM versus TEM:
Compared with Transmission Electron Microscopes, three dimensional AFM image

s are obtained without expensive sample preparation and yield far more compl

ete information than the two dimensional profiles available from cross-secti

oned samples.
4. AFM versus Optical Microscope:
Compared with Optical Interferometric Microscope (optical profiles), the AFM

 provides unambiguous measurement of step heights, independent of reflectivi

ty differences between materials.

--

※ 来源:．哈工大紫丁香 bbs.hit.edu.cn [FROM: 219.217.226.234]
--
※ 转载:．哈工大紫丁香 bbs.hit.edu.cn．[FROM: 202.118.229.215]