NanoST 版 (精华区)

发信人: zjliu (秋天的萝卜), 信区: NanoST
标  题: 半导体禁带宽度
发信站: 哈工大紫丁香 (Wed May  5 13:14:27 2004), 站内信件

发信人: titanz (天石), 信区: NanoST
标  题: 半导体禁带宽度
发信站: 瀚海星云 (2004年05月01日14:05:41 星期六), 站内信件


IV族:
Si  1.119
Ge  0.6643
SiC  2.6  or  2.994 (2.6好像是闪锌矿的)

III-V族:
AlP  2.45
AlAs  2.9(直接带隙)
AlSb  2.218(直接带隙)
GaP  2.26(间接带隙)
GaAs  1.424
InP   1.34(直接带隙)
InAs   0.356(间接带隙)

II-VI族:
ZnO  3.2
ZnS  3.6(闪锌矿)
ZnTe  2.28(闪锌矿)
CdS   2.53
CdSe  1.74
CdTe  1.50(闪锌矿)

IV-VI族:
PbS  0.42
PbSe  0.29
PbTe  0.32

附注: 单位eV。
数据不是太全,有些多种晶形的数据没有,欢迎补充。




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║★★★★★友谊第一  比赛第二★★★★★║
╚═══════════════════╝

※ 来源:.哈工大紫丁香 bbs.hit.edu.cn [FROM: 202.118.229.162]
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