Physics 版 (精华区)

发信人: zhangkx (木鱼子), 信区: Physics
标  题: 我校光学体全息晶体存储材料的研制 
发信站: 哈工大紫丁香 (2003年05月23日08:43:09 星期五), 站内信件

                         我校光学体全息晶体存储材料的研制  

                           发布时间：2002-11-25 9:15:10  



    不久的将来，一种存储信息量巨大、读取速度快的“光学体全息晶体存储材料”有望
取代光盘、磁盘等传统存储材料，并以多种优势超过其他光电材料，展现给人们一个全新
的现代信息世界。

    目前，美国的IBM公司、德国的拜尔公司、日本的NTT公司等都投入了大量的资金进行
研制和开发，预计短时间可研发出125Gb的光盘，5年内推出Tb级存储容量的光学体全息存
储光盘。我国在材料技术领域不落后于国外，其中双掺和三掺铌酸锂晶体的性能比国外生
长的铌酸锂晶体提高1至2个数量级，已具备产业化前期的基础，若能大力开发，必将对我
国光电产业的发展起到推动作用。

    我校光电信息技术中心、上海硅酸盐所、山东大学晶体材料研究所等单位研制的可以
生长出光学级质量的多种类型的光折变晶体材料，其中部分产品已打入国际市场。因此，
我国在体全息存储材料方面已具有相当优势。研发成功体全息存储需要的“记录晶体”、
“激光器”、“空间光调制器”等一些关键元器件，现有一半的元器件我国可以自行解决
。目前市场对于全息存储产品的需求取决于存储材料性能的突破、相关器件性能的提高和
小型化集成技术的发展等。国家在“九五”和“十五”期间将这项技术列为“863”重点资
助项目，因此开展掺杂铌酸锂晶体材料和存储技术的研究是今后光学体全息存储技术发展
的主要方向，其市场前景十分广阔。

    1999年，我校开始进行光学体全息晶体存储材料的研制，并在2000年实现了体全息500
幅图像的存储，2001年又研制出直径为80mm、厚为5mm、容量可达300Gbits的盘式光学体全
息晶体存储器件。2001年，我校又获得“十五”期间“863”高技术项目的支持。此外，我
校还向国家“973项目”的有关单位提供晶体存储材料和器件。可以说，在晶体材料用于光
学体全息存储的研究方面，我校走在了全国前列，其中关于双掺杂和三掺杂晶体存储材料
的研究，我校走在了世界前列。
 
 
发布者：郑学军 源作者:赵业权、章池。摘自:哈工大报 

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