Physics 版 (精华区)

                    量子光电子技术的发展（续）

 4. 应变层超晶格
    通常异质结外延时，如果两种材料的晶格失配度大于0.5%，则异质结界面处
会由于两种原子的间距差别过大而形成失陪位错。但对于超薄层生长，只要每层
的厚度足够薄且晶格失配度不大于7~9%，则可以通过双方的弹性形变使异质结界
面处形成折衷的晶格体系，并且在界面两边的晶体内产生应变。
    这种具有内应力的应变层超晶格可以改变量子阱材料的能带结构。内应力的
直接结果是使合金的禁带宽度变化，使能带形状改变和改变价带兼并状态。

    量子效应器件对现代通信，信息传输处理和计算技术的影响主要表现在以下
几个方面：
 1. 引入量子阱可以获得高调制速率和窄线宽半导体激光器。
 2. 引入应变层超晶格增加了使用能带工程剪裁材料的光电特性的自由度，因此
可以获得新型器件，如用于光纤放大器的980nm大功率半导体激光器,可见光半导
体激光器，偏振不灵敏半导体光放大器等。
 3. 利用应变层超晶格有可能实现Si基上的微电子和光电子集成。
 4. 在计算机光互连上，利用量子阱技术可以制作超低阈值的面发光激光器。这
种器件的低功耗和二维集成特性是广互连所不可缺少的。
 5. 在光计算方面，基于室温激子效应的量子阱自光电效应器件（SEED）将成为
未来光计算系统中的重要功能器件。
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※ 来源:．哈工大紫丁香 bbs.hit.edu.cn [FROM: 202.118.229.92]

※ 修改:．zjliu 於 Jul  7 22:20:21 2003 修改本文．[FROM: 202.118.229.92] 
※ 修改:．zjliu 於 Jul  7 22:24:08 2003 修改本文．[FROM: 202.118.229.92]