Physics 版 (精华区)

发信人: reise (旅行), 信区: Physics
标  题: IBM开发出硅锗双极晶体管 
发信站: 哈工大紫丁香 (2003年10月09日14:26:13 星期四), 站内信件


　　〖华盛顿〗美国IBM公司近日宣布，他们首次成功利用“绝缘体上硅”技术设
计出硅锗双极晶体管，其速度达到现有硅锗双极晶体管的4倍，能耗比后者降低
80%，有望用于制造下一代高性能移动电话等设备。

　　“绝缘体上硅”是近年发展起来的一种新技术，它通过在晶体管的硅薄层和硅
衬底之间使用超薄绝缘氧化层，能够减少电流干扰、降低能耗，显著提高晶体管性
能。目前，该技术主要用来制造高性能的互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管，
这种晶体管是计算机中执行计算任务的微处理器的基础。不少研究人员一直在尝试
将“绝缘体上硅”技术与硅锗双极晶体管结合，但均未获得成功。硅锗双极晶体管
能够有效放大无线电频率信号，目前主要在无线通信领域得到应用，缺陷是现有制
造工艺成本较昂贵，而且产品能耗较高。

　　IBM公司的新成果不仅有助于大幅提高硅锗双极晶体管性能，也为以同一块“
绝缘体上硅”晶片为基础，同时集成互补金属氧化物半导体晶体管和硅锗双极晶体
管铺平了道路。这种新元件由于将更高的计算和通信能力结合在一起，因而可以提
高下一代移动电话的视频处理等性能。据IBM公司研究人员预计，类似元件可望在
5年内投入商业化生产。（完）

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