Science 版 (精华区)

发信人: zjliu (秋天的萝卜), 信区: Science
标  题: 表面分析技术6－－－AES(1)(zz)
发信站: 哈工大紫丁香 (Fri May  9 10:52:42 2003) , 转信

AES是通过测量从表面发射出的Auger电子的能量来确定表面存在什么元素（每种元
素所发射的Auger电子能量都是特定的），根据发射的电子数量来确定表面元素的
含量。主要用途在于测定表面的元素成分，具有很高的位区分析能力。

终态空位之一与初态空位处于同一壳层中，称为C-K跃迁，两终态空位与初态空位
都处于同一壳层中称为超C-K跃迁。 C-K跃迁速率非常大，由能量不确定关系知道
C-K跃迁的Auger峰有展宽，这种现象称为"寿命展宽效应"。

影响Auger电流的因素：
1：电离截面。定义U＝入射电子能量/初空位能级电离能，电离截面是U的函数，U
大于一时电离截面才不为零，当U为3左右，电离截面达最大，此时Auger电流最大
。
2：Auger几率与特征X射线几率。对于一个初空位，可能会发射Auger电子也可能发
射X射线，它们几率之和为1，另有一与原子序数Z有关的半经验公式。当Z<15时特
征X射线几率很小，用K系列的Auger峰进行分析；当Z>15时特征X射线有一定几率，
用K.M等高系列峰来分析。
3：平均自由程和平均逸出程度，出射的Auger电子数目N=N0 * exp(-Z/自由程),平
均自由程与固体材料和Auger电子能量有关
此外再考虑到入射电子方向，背散射增强因子，表面粗糙度，能量分析器传输率等
因素可以导出Auger电流的公式。



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※ 来源:．哈工大紫丁香 http://bbs.hit.edu.cn [FROM: 202.118.229.86]